画画世界
      分享到:

      敦煌写卷的鉴定方法与探索

        作者:核实中..2009-11-03 14:41:33 来源:网络

        考辨敦煌写卷真伪的主要依据书迹本身,前人鉴定古代书法的基本方法,如书法时代风格、题跋、名款、印鉴、文本、纸质、内容等,对于鉴定敦煌写卷的真伪依然有效。那些流散世界各地的敦煌写卷借助现代科技手段都已精印出版,我们完全可以依据古代写本书迹的外在形态来探索实证性的鉴定方法。
          
          鉴定敦煌伪卷是一个非常复杂的工作,利用传统的书法鉴定方法,以及一些学者已经提出的疑伪卷目,既要“鉴”,更要“考”。讨论鉴定敦煌写卷的方法,首先应该注意到古代写本书迹的一些显著特点,例如:
          
          1、敦煌写卷的字体,绝大多数为楷书(正书)。
          
          2、古代的楷书形态有一个演变的过程,每一个阶段的楷书形态都有相对的稳定性,从而形成了楷书的时代特征。敦煌写卷所见楷书,从主流形态来看,不同历史时期有着不同的样式。
          
          3、敦煌写卷多出自官府和社会上的职业书手,他们的书法水准有差异。
          
          4、敦煌写卷的书写者长期从事“重复性”的抄写,书写动作很熟练,手势习惯相当定型。所以,凡一人所抄的卷子,字画(笔画、偏旁部件与结构方式)的“写法”比较统一,具有相当的“稳定性”。在兼顾书迹端正与书写快捷的情况下,书写者容易流露出自己的书写习惯。
          
          5、书手所写的书迹,因其师承的延续性而保留前代的一些写法(书写之法与文字结构之法),同时又受到时风的感染而发生一些变通。所以,时代相近的写卷,师承同流的写本,许多字的“写法”仍然具有“一致性”。
          
          鉴于敦煌写卷的这些特点,我在考辨《(三国志•步骘传)残卷》所采取的方法是:
          
          第一,该卷的笔画形态、偏旁部首及结构的写法是否前后一致。
          
          第二,该卷一些偏旁部首及结构的写法是否合乎当时的通例。
          
          第三,“搭笔形式”是否合乎当时的通例。(运用后两种方法,以可靠的晋人写本为参照)
          
          还有一点值得注意,造假者好作有年款题识的敦煌写卷,例如美国普林斯顿大学美术馆收藏的索沈《太上玄元道德经》,最明显的破绽就出现在卷尾的款识上。我在考证《(三国志•步骘传>残卷》时,之所以提出“搭笔形式”作为分析的重点,是在对比其它晋人写本时发现了这一差异,也考虑到让不事书法的读者能够一目了然。
          
          这里要特别说明一下“搭笔形式”。所谓“搭笔”,是指“国”、“周”、“口”、“月”、“雨”、“页”、“一”之类的字或部件的左上角的两笔相交处,它是由两个连续书写动作形成的一种形态,即先写纵向笔画(指由上向下、左下方行笔)、再写横向笔画(指由左向右行笔)所形成的形态。为什么要注意书写中的“搭笔形式”这样一个细节呢?因为楷书的演变过程中,手势习惯的改变是书法形态变化的先导,而且各个时代的楷书形态(静态)都是书写手势(动态)的记录。此其一。其二,晋人写本的楷书都带有浓郁的隶意,是古质的“平划宽结”形态,尤其是书写“搭笔”形态的手势习惯与后人大不一样。第三,“搭笔形式”是由两个连续的、运笔方向又不相同的手势动作完成的形态,显示了形态与手势的密切关系,敦煌写本的造假者都是20世纪的人,他们在书写时会注意单一笔画形态的一招一式,但是并未注意到古人的“搭笔”写法,故写出的“搭笔”形态难与古人合辙,最容易在这里显露晚近的手势习惯。采用“影摹”的方法作伪可以在很大程度上遮蔽作伪者的手势,得底本的形态位置,但是作伪者又会在笔势的自然性上露出破绽。

        来源:网络

        知识搜索
        More..
        名人堂
          More..
          艺术展讯
        • 中国美术家网 版权所有 Copyright © meishujia.cn,All right
        • 业务部:
        • 邮编:100069
        • 电话:
        • 技术部:
        • 邮编:100052
        • 电话:
        • 热线:服务QQ:529512899电子邮箱:fuwu@meishujia.cnbeijing@meishujia.cn
        Processed in 0.029(s)   5 queries
        update:
        memory 4.471(mb)